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存储超级周期,这些上市公司值得关注(附代码)

2026-02-07 04:41:35

AI引爆存储超级周期，"史诗级"存储芯片涨价潮，价格自2025年9月以来累计涨幅已超过300%。

这轮供需失衡的核心逻辑在于AI服务器对HBM(高带宽内存)等高端存储产品的"以存代算"技术需求激增，而三星、SK海力士等国际巨头将产能大幅转向AI服务器相关产品，导致传统DRAM和NAND产能被挤压。在此背景下，2026年中国存储芯片国产化率目标有望达到28%。本文将从HBM产业链、国产替代和先进封装三大主线，梳理存储超级周期的投资逻辑，筛选出具备技术壁垒、订单饱满和产能利用率高的核心上市公司。

一、AI算力需求爆发与国际巨头产能调整：存储超级周期的双重引擎

1. AI算力需求重构存储市场格局

AI大模型训练与推理对存储芯片的需求呈现爆发式增长。根据TrendForce数据，单台AI服务器对DRAM的需求是传统服务器的8-10倍，对NAND Flash的需求为3倍，而对HBM的需求更是达到传统GPU的数十倍。英伟达、AMD等GPU厂商与微软、谷歌等云服务商正通过"溢价50%-60%疯抢"的方式锁定HBM产能，导致全球AI服务器用存储芯片订单已排至2027年。

AI算力需求的结构性变化正在重塑存储市场。2025年Q3，SK海力士HBM3E产品已占据全球HBM出货份额的90%以上，三星HBM4良率突破90%，而美光也在加速追赶。HBM4作为第六代高带宽内存，带宽高达2TB/s，是HBM3的12倍以上，价格较HBM3E上涨51.35%，单价达到560美元，成为AI服务器的核心"算力粮仓"。

2. 国际巨头产能调整加剧供需失衡

面对AI算力需求的爆发，三星、SK海力士等国际巨头采取了战略性产能调整。SK海力士2025年将HBM产能提升至全球DRAM总产能的28%，2026年计划进一步扩大至35%；三星则将HBM产能提升至DRAM总产能的23%，并计划在2026年Q2开始量产HBM4。这些产能调整直接导致传统DRAM产品供应锐减15%-20%，价格出现倒挂现象。

存储芯片扩产周期长是供需失衡持续的关键因素。TrendForce指出，存储芯片扩产周期超过2年，向1C纳米及300-400层3D NAND迁移伴随10%-15%的产能损耗，而光刻机等核心设备交付周期超12个月，构成了物理瓶颈。即使SK海力士宣布将DRAM产能扩大8倍，但其新增产能将全部用于HBM和GDDR7等高端产品，而非消费级DDR4/LPDDR5市场。

3. 价格暴涨与周期延续性

存储芯片价格的暴涨已成定局。2026年Q1，一般型DRAM合约价环比暴涨55%-60%，NAND Flash合约价上涨33%-38%，部分产品涨幅高达100%。Counterpoint Research预测，存储市场已进入"超级牛市"阶段，2026年Q1存储芯片价格还将再涨40%-50%，Q2预计进一步上涨约20%。

行业分析一致认为，这一轮存储芯片的缺货时间至少将持续至2026年，部分机构如摩根士丹利甚至预测可能延续至2028年。 TrendForce警告称，存储芯片产能扩张存在"排挤效应"，产能向AI倾斜的结构性短缺将长期存在。2025年第四季度，DRAM库存仅够维持9-11周，NAND库存仅8周，供需紧张程度远超历史周期。

二、三大投资主线：技术壁垒与国产替代机遇

1. HBM产业链：AI时代的"印钞机"

HBM(高带宽内存)是AI服务器GPU的核心显存，目前全球市场被SK海力士、三星、美光三大巨头垄断，合计占据90%以上市场份额。HBM技术壁垒极高，主要体现在3D堆叠技术(16层以上)、TSV(硅通孔)工艺、混合键合技术以及EUV光刻机等先进设备的使用。HBM3带宽是DDR5的12倍以上，HBM4则采用2048位接口，堆叠层数从12层提升至16层，带宽突破2TB/s，成为AI大模型训练和推理的基础设施核心。

中国厂商在HBM产业链中的突破主要集中在封装环节。长电科技已实现HBM3封装良率98.5%，全球市占率20%，为SK海力士HBM3E提供封装服务，同时与长鑫存储、华为合作布局国产HBM封装，计划2026年底CoWoS产能目标达3000片/月。太极实业通过子公司海太半导体与SK海力士深度绑定，已掌握16层DRAM高堆叠技术(HBM4)，2024年双方业务往来金额占海太半导体该业务总量的82.74%，订单排期至2027年。通富微电则完成了HBM2E/3样品开发，与AMD、英伟达合作，计划2026年产能翻倍，3nm Chiplet订单排至2026Q3。

2. 国产替代：政策驱动的千亿级市场

美国芯片法案施压与国产替代加速推进为中国存储产业链创造了历史性机遇。2025年12月31日，中国发布最新政策指引，要求芯片制造商设备国产化率不得低于50%，自2026年起，国内晶圆厂新建产线设备采购中，国产设备占比必须达50%以上，否则将限制产能审批、取消补贴资格。这一政策倒逼中国存储产业链加速自主可控进程。

国产替代的窗口期已全面打开，主要集中在三个领域：

设备国产化：刻蚀设备国产化率已从2022年的不足10%提升至2026年的超65%，北方华创、中微公司等企业已进入国际主流供应链。

材料国产化：光刻胶专用瓶国产化率提升至25%，联瑞新材的Low-α球硅市占率国内第一，通过日本JSR间接供货SK海力士供应链企业。

工艺国产化：长鑫存储与SK海力士合作开发HBM3，计划2026年底实现全面量产，月产能达5万片晶圆，预计占据全球产能的20%-25%。

3. 先进封装：国产突围的关键环节

先进封装技术是存储芯片性能提升的关键支撑，特别是3D堆叠和2.5D/3D封装技术。长电科技的XDFOI多维扇出封装平台已实现4nm节点稳定量产，良率达99%，能对标台积电CoWoS与日月光InFO技术。其HBM封装业务毛利率高达42%，显著高于传统封装业务。

国产先进封装厂商正加速追赶国际巨头。通富微电研发的"混合键合+Chiplet"方案成本比国际方案低40%，已获英伟达订单；华天科技则完成了3D DRAM封装开发，成为华为昇腾910B芯片的独家封装服务商，车规级存储封装技术领先。

三、核心上市公司投资机会分析

基于上述分析，本文筛选出三大主线中的核心上市公司，重点关注订单饱满、产能利用率高、技术壁垒强的企业。

(一) HBM产业链：先进封装与配套环节受益

1. 长电科技(600584)

核心逻辑：国内HBM封装绝对龙头，基于XDFOI多维扇出封装平台，HBM3封装良率达98.5%，毛利率高达42%，显著高于传统封装业务。已为SK海力士HBM3E提供封装服务，同时与长鑫存储、华为合作布局国产HBM封装，2026年底CoWoS产能目标3000片/月，业绩弹性巨大。

技术进展：HBM3封装技术成熟，与国际龙头SK海力士深度绑定，已为英伟达H200 GPU提供50%封装服务。2025年Q3营收273.01亿元，同比增长32.97%，毛利率稳步提升。先进封装业务收入占比已超35%，毛利率达18%以上。

风险提示：HBM4封装良率仅70%，落后于台积电CoWoS-S/M的高端订单能力，无法承接其高端订单。硅中介层仍依赖进口，国产基板使用率仅40%，规模效应不及台积电，毛利率比台积电低15个百分点。

2. 太极实业(600667)

核心逻辑：通过子公司海太半导体与SK海力士深度绑定，专注存储芯片封测业务。存储行业周期复苏叠加国产化替代，公司封测产能利用率持续提升。HBM4封装技术已就绪，订单排期至2027年，2025年HBM市占率15%。

技术进展：海太半导体掌握16层DRAM高堆叠技术(HBM4)，已完成1制程DRAM的验证和量产。SK海力士计划在2026年Q3将HBM月产能提升至25万片，太极实业作为其核心合作伙伴将直接受益。

订单情况：2025年前三季度营收增长26.12%，订单排期至2027年无压力。海太半导体2025年7月1日至2030年6月30日与SK海力士签署第四期后工序服务合同，采用"全部成本+约定收益"模式，每年收取总投资额10%的收益及超额利润。

风险提示：技术路径依赖SK海力士，自主创新能力有限；若SK海力士HBM产能释放不及预期，可能导致订单延迟交付。

3. 通富微电(002156)

核心逻辑：已启动HBM3试产，良率约95%，是国产HBM3的主力封测商之一。与华为深度合作，开发适配昇腾950架构的定制化HBM3封装方案，绑定国产AI产业链，随着长鑫存储HBM量产，订单有望持续爆发。

技术进展：完成HBM2E/3样品开发，3nm Chiplet封装良率优于台积电CoWoS。玻璃基板FCBGA封装技术突破，成功通过英伟达认证，良率达98.2%。

订单情况：预计2025年度归母净利润为11亿元至13.5亿元，比上年同期增长62.34%至99.24%，扣非归母净利润7.7亿元至9.7亿元，同比增长23.98%至56.18%。

风险提示：HBM4技术尚未完全成熟，与长鑫存储合作的进度可能不及预期；若国际巨头HBM产能提前释放，可能导致价格波动。

(二) 国产替代(设备/材料)：技术突破与产能扩张

1. 北方华创(002371)

核心逻辑：国内半导体设备平台型龙头，刻蚀设备国产化率从2022年的不足10%提升至2026年的超65%，受益于国产替代政策与存储芯片扩产红利。公司12英寸TSV刻蚀机适配5nm以下先进制程，在长鑫存储产线中市占率超50%，并参与其HBM芯片制造。

技术进展：14nm刻蚀设备已通过客户验证，2026年有望实现规模化出货。在长江存储232层NAND产线中，国产设备中标率达35.11%，其中北方华创中标38台设备。公司还通过并购整合，将PVD设备的工艺覆盖从集成电路拓展至先进封装、硅基显示等六大领域。

订单情况：截至2025年Q3末，公司在手订单超300亿元，库存达302亿元，为未来收入确认奠定基础。2025年Q3营收同比增长32.97%，净利润同比增长14.83%。东吴证券预计公司2025-2027年归母净利润分别为58.43亿、77.52亿和102.34亿元，同比增长4%、33%和32%。

风险提示：高端制程(如7nm以下)仍依赖进口设备；部分核心零部件(如射频电源、真空泵)仍需进口；若国产替代政策执行不及预期，可能导致订单不及预期。

2. 拓荆科技(688072)

核心逻辑：国内ALD设备龙头，PECVD设备已批量导入长鑫存储产线，承担介质薄膜沉积关键工艺。作为全球仅3家能批量生产该设备的企业之一，其技术支持长鑫从DDR4向DDR5过渡，并参与HBM混合键合技术研发。

技术进展：PVD设备实现28nm金属栅工艺量产，累计出货超千腔，覆盖逻辑芯片、存储芯片等全场景。其热Al PVD设备在功率半导体背金工艺中良率达99.8%，成本较进口设备降低35%。

订单情况：2026年薄膜沉积设备订单预计达60-80亿元，排期至2027年二季度。上海临港新厂产能翻倍至600台/年，2025年出货量同比增长62.8%。

风险提示：高端ALD设备仍依赖进口；若长鑫存储HBM3量产不及预期，可能导致设备订单减少；技术迭代风险高，若HBM4标准升级，现有设备可能面临淘汰。

3. 联瑞新材(688300)

核心逻辑：HBM封装用球硅核心供应商，Low-α球硅市占率国内第一，通过日本JSR间接供货SK海力士供应链企业。随着HBM需求爆发，球硅用量激增，单颗芯片用量达5克，公司产能有望快速释放。

技术进展：产品通过华为昇腾生态认证，填补国内高端封装材料空白。其球形硅微粉产品已通过SK海力士等国际大厂验证，成为HBM封装的关键材料供应商。

订单情况：2025年净利润同比增长44.47%，2026年产能有望突破千吨级，订单增长显著。在长江存储国产化产线中，其产品已批量应用，成为国产存储材料的重要突破点。

风险提示：高端材料(如GMC)仍依赖日本住友；若HBM需求不及预期，可能导致订单减少；技术壁垒相对较低，可能面临价格战风险。

(三) 先进封装：国产替代与自主可控

1. 江波龙(301308)

核心逻辑：全球存储模组龙头，产品覆盖SSD、内存条等，Lexar品牌全球知名。AI服务器存储模组订单同比涨40%，排产直接到2026年底，后续订单有望延伸至2027年。存货充足，2025年存货85亿元，为订单执行提供保障。

技术进展：WM7400主控芯片配合自有封测基地，使嵌入式存储产品交付周期缩短40%。UFS 4.1自研主控芯片已流片成功，读写性能比公版提升20%，功耗降15%。9月与闪迪达成战略合作，共同面向移动及IoT市场推出定制化UFS产品。

订单情况：2025年预计实现营业收入225-230亿元，同比增长28.8%-31.7%；预计实现归母净利润12.5-15.5亿元，同比增长150.7%-210.8%。

风险提示：存货价值波动风险；若存储芯片价格大幅下跌，可能导致存货减值；消费电子需求复苏不及预期，可能影响整体业绩。

2. 深科技(000021)

核心逻辑：国内最大DRAM封测企业，建成首条全自动存储芯片产线，月产能突破3000万颗。存储业务毛利率提升至28%，受益于存储芯片涨价周期和国产替代红利。DDR5模组和企业级存储产品直接供应头部服务器厂商，订单排至2027年。

技术进展：超薄存储芯片POPT封装量产，16层堆叠技术成熟。2025年Q3，公司企业级eSSD收入6.93亿元，同比增长138%。存储业务已实现从主控芯片设计到封测制造的垂直体系构建。

订单情况：2025年前三季度营收增长26.12%，订单常年饱满，产能利用率维持90%以上。公司已与多家晶圆原厂及头部智能终端设备厂商构建了深度合作关系，存货充足，为订单执行提供保障。

风险提示：存储价格波动风险；若存储芯片价格大幅下跌，可能导致毛利率下降；产能扩张不及预期，可能影响订单交付。

3. 华海诚科(688535)

核心逻辑：国产高端封装材料GMC(颗粒状塑封料)核心供应商，产品已送样验证，有望打破日本住友、昭和电工的垄断。随着长鑫存储HBM3量产，公司有望成为其GMC材料的主要供应商，打开国产替代空间。

技术进展：环氧塑封料性能与日本产品相当，价格便宜一至两成，已用在十二层堆叠的芯片上。公司产品通过SK海力士等国际大厂验证，成为HBM封装的关键材料供应商。

订单情况：2025年净利润同比增长数据没有提供，2026年随着长鑫存储HBM3量产，订单有望大幅增长。公司已与SK海力士建立合作关系，HBM4量产将为公司带来更大订单空间。

风险提示：技术验证周期长；若HBM4量产不及预期，可能导致订单延迟；市场竞争加剧风险。

密切关注存储芯片价格走势、国产厂商技术突破进展以及国际巨头产能释放节奏，及时调整投资策略，把握这一轮存储超级周期的投资机遇。

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